提高芯片发光强度与出光效率方法-芯片所制造过程

LED的星体主要取决于一个大工具和一个大质量好坏，在闪存生产过程中采行不同的工具也可大大提高一些光强即大大提高外量子可靠性，但是程度极少。今日使用最国际上的工具是进行表层粗化工艺。粗化的物理现象是降低发光km。该工具适用于黄，蓝，普红，普黄。等GaPa基材的一个大片，另外红外LED也可改用该工具。这种工具一般可以大大提高30%。

目前通过工艺和构件上的简化可以大大提高闪存的出光可靠性，归纳起来有如下几种有效性工具：

01透明粉笔技术

通常LED的粉笔用GaAs材质，但GaAs是一种吸光材质，LED发出的光被它吸收，下降出光可靠性。为此，在一个大再行加PN结后，用腐蚀的工具GaAs粉笔替换成，然后在零下先决条件下将能较厚的GaP折叠上去想到粉笔，使PN结射出光通过镀层底板反射光进来，大大提高出光可靠性。

这种工具在剪辑InGaAlP四元闪存时，在替换成GaAs粉笔后并用折叠工具剪辑一层镀层镜面反光层，然后再行折叠晶片，这样使射向粉笔的光辐射线到出光面，使闪存出光可靠性大大提高。

02闪存表层粗化法

由于GaN的入射formula_η1=2.3，与氧气入射formula_η1=1相差较大，其余反射光临界角仅为25°，使大几乎光不能逸出到氧气中去，出光可靠性较差。为此，通过扭转GaN与氧气的介面的几何圆锥形，使全反射光临界角增大，大大提高出光可靠性，这就是通过闪存表层粗化的工具来实现。

03闪存倒梯形构件

当前服务业有一闪存改用倒梯形构件后也大大提高了光强，如下图。由于这种构件的闪存其楔形几乎的全反射光临界角增大，电磁波逸出率大大提高，并能从杯子南管射出，大大提高光强和出光可靠性。

来源：铝制显视

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